Diodo SiC 3L TO-220AB de gran eficiencia y durabilidad

Descripción breve:

Estructura del embalaje: 3L TO-220AB

Introducción: El diodo de SiC YUNYI 3L TO-220AB está fabricado con carburo de silicio. Los diodos de SiC poseen una alta conductividad térmica, lo que mejora la densidad de potencia. Cuanto mayor sea la conductividad térmica, mayor será la capacidad del material para transferir calor al entorno y menor el aumento de temperatura del dispositivo, lo que mejora la densidad de potencia, haciéndolo más adecuado para entornos de alta temperatura. La alta intensidad de campo de ruptura de los diodos de SiC aumenta la tensión de resistencia y reduce su tamaño, mientras que la alta intensidad de campo de ruptura electrónica aumenta la tensión de ruptura de los dispositivos semiconductores. Al mismo tiempo, al aumentar la densidad de penetración de impurezas, el ancho de banda de la región de deriva del diodo de SiC reduce su tamaño y, por lo tanto, su tamaño.

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Ventajas del diodo SiC 3L TO-220AB de YUNYI:

1. Costo competitivo con calidad de alto nivel.

2. Alta eficiencia de producción con plazos de entrega cortos.

3. Tamaño pequeño, lo que ayuda a optimizar el espacio de la placa de circuito.

4. Soportable en diversos entornos naturales.

5. Chip de baja pérdida de desarrollo propio

Pasos de la producción de chips:

1. Impresión mecánica (impresión automática de obleas de alta precisión)

2. Grabado automático (equipo de grabado automático, CPK > 1,67)

3. Prueba automática de polaridad (prueba de polaridad precisa)

4. Ensamblaje automático (ensamblaje automático preciso de desarrollo propio)

5. Soldadura (Protección con una mezcla de nitrógeno e hidrógeno)

6. Grabado automático de segundo nivel (Grabado automático de segundo nivel con agua ultrapura)

7. Encolado automático (equipo de encolado automático de precisión que garantiza un encolado uniforme y un cálculo preciso)

8. Prueba térmica automática (selección automática por comprobador térmico)

9. Prueba automática (probador multifuncional)

Parámetros de los productos:

Número de pieza	Paquete	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRF10650CT	ITO-220AB	650	10	60	60	1.7
ZICRF5650	ITO-220AC	650	5	60	60	2
ZICRF6650	ITO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065F	ITO-220AC	650	6	70	3(0,03 típico)	1,7 (1,5 típico)
ZICRF10650	ITO-220AC	650	10	100	120	1.7
ZICRF101200	ITO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICRF12600	ITO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICRF12650	ITO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065F	ITO-220AC	650	3	46	2(0,03 típico)	1,7 (1,4 típico)
Z3D10065F	ITO-220AC	650	10	115	40 (0,7 típico)	1,7 (1,45 típico)
Z4D10120F	ITO-220AC	1200	10	105	200 (30 típicos)	1.8 (1.5 típico)
ZICR10650CT	TO-220AB	650	10	60	60	1.7
Z3D20065C	TO-220AB	650	20	115 (por pierna)	40 (0,7 típico) (por pierna)	1,7 (1,45 típico) (por pierna)
ZICR5650	TO-220AC	650	5	60	60	2
ZICR6650	TO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065A	TO-220AC	650	6	70	3(0,03 típico)	1,7 (1,5 típico)
Z3D10065A	TO-220AC	650	10	115	40 (0,7 típico)	1,7 (1,45 típico)
ZICR10650	TO-220AC	650	10	110	100	1.7
Z3D20065A	TO-220AC	650	20	170	50 (1,5 típico)	1,7 (1,45 típico)
ZICR101200	TO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICR12600	TO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICR12650	TO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065A	TO-220AC	650	3	46	2(0,03 típico)	1,7 (1,4 típico)
Z4D04120A	TO-220AC	1200	4	46	200 (20 típicos)	1.8 (1.5 típico)
Z4D05120A	TO-220AC	1200	5	46	200 (20 típicos)	1.8 (1.65 típico)
Z4D02120A	TO-220AC	1200	2	44	50 (10 típicos)	1.8 (1.5 típico)
Z4D10120A	TO-220AC	1200	10	105	200 (30 típicos)	1.8 (1.5 típico)
Z4D20120A	TO-220AC	1200	20	162	200 (35 típicos)	1.8 (1.5 típico)
Z4D08120A	TO-220AC	1200	8	64	200 (35 típicos)	1.8 (1.6 típico)
Z4D15120A	TO-220AC	1200	15	100	200 (35 típicos)	1.8 (1.5 típico)
Z3D15065A	TO-220AC	650	15	162	25 (0,5 típico)	1,7 (1,5 típico)
Z3D06065I	Isolación TO-220	650	6	70	3(0,03 típico)	1,7 (1,5 típico)
Z3D10065I	Isolación TO-220	650	10	115	40 (0,7 típico)	1,7 (1,45 típico)