Diodo de SiC DPAK (TO-252AA) de alta conductividad térmica

Breve descripción:

Estructura de embalaje: DPAK (TO-252AA)

Introducción: El diodo de SiC YUNYI DPAK (TO-252AA), que está hecho de materiales de carburo de silicio, tiene una alta conductividad térmica y una gran capacidad para transferir calor, lo que es más propicio para mejorar la densidad de potencia del dispositivo de potencia, por lo que es más adecuado para trabajando en un ambiente de alta temperatura. La alta intensidad del campo de ruptura de los diodos de SiC aumenta el voltaje soportado y reduce el tamaño, y la alta intensidad del campo de ruptura electrónica aumenta el voltaje de ruptura de los dispositivos de potencia semiconductores. Al mismo tiempo, debido al aumento de la intensidad del campo de ruptura de electrones, en el caso de aumentar la densidad de penetración de impurezas, se puede reducir la banda ancha de la región de deriva del dispositivo de potencia de diodo de SiC, de modo que el tamaño del dispositivo de potencia. se puede reducir.

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Méritos del diodo de SiC DPAK (TO-252AA) de YUNYI:

1. Costo competitivo con calidad de alto nivel.

2. Alta eficiencia de producción con plazos de entrega cortos

3. Tamaño pequeño, lo que ayuda a optimizar el espacio de la placa de circuito.

4. Estable y confiable en diversos entornos naturales.

5. Chip de baja pérdida de desarrollo propio

Procedimientos de producción de chips:

1. Impresión mecánica (impresión automática de oblea súper precisa)

2. Primer grabado automático (equipo de grabado automático, CPK>1,67)

3. Prueba de polaridad automática (Prueba de polaridad precisa)

4. Ensamblaje automático (ensamblaje preciso automático de desarrollo propio)

5. Soldadura (Protección con Mezcla de Nitrógeno e Hidrógeno Soldadura al Vacío)

6. Segundo grabado automático (Segundo grabado automático con agua ultrapura)

7. Encolado automático (el encolado uniforme y el cálculo preciso se realizan mediante un equipo de encolado automático y preciso)

8. Prueba Térmica Automática (Selección Automática por Probador Térmico)

9. Prueba automática (probador multifuncional)

Parámetros de los productos:

Número de pieza	Paquete	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3(0,03 típico)	1,7 (1,5 típico)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2(0,03 típico)	1,7 (1,4 típico)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40(0,7 típico)	1,7 (1,45 típico)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (20 típico)	1,8 (1,5 típico)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (20 típico)	1,8 (1,65 típico)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50(10 típico)	1,8 (1,5 típico)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (30 típico)	1,8 (1,5 típico)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (35 típico)	1,8 (1,6 típico)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (por pierna)	8(0,002 típico)(por tramo)	1,7 (1,5 típico) (por tramo)