Supresores de voltaje transitorio (TVS) PAR® de montaje en superficie ultraestable DO-218AB SM8S
Ventajas de DO-218AB SM8S:
1. Debido a la tecnología del método de grabado químico, se eliminan los resultados negativos de los medios de corte directo.
2. Potente en oleada inversa debido a un chip más grande que sus contrapartes.
3. Tasa de fallas extremadamente baja en diferentes climas y áreas
4. Aprobado por el estándar AEC-Q101
5. Las funciones del diodo están optimizadas, beneficiándose de la protección científica en la unión PN.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:
VBR: 11,1 V a 52,8 V
VWM: 10 V a 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8W
IFSM: 700 A
TJ máx.: 175 °C
Polaridad: Unidireccional
Paquete: DO-218AB
Procedimientos de Producción de Chips
1. Impresión automática(Impresión automática ultraprecisa de obleas）
2. Primer grabado automático(Equipo de grabado automático，CPK>1.67）
3. Prueba de polaridad automática (Prueba de polaridad precisa)
4. Ensamblaje automático (ensamblaje preciso automático de desarrollo propio)
5. Soldadura (Protección con Mezcla de Nitrógeno e Hidrógeno
Soldadura al vacío)
6. Segundo grabado automático (Segundo grabado automático con agua ultrapura)
7. Encolado automático (el encolado uniforme y el cálculo preciso se realizan mediante un equipo de encolado preciso automático)
8. Prueba Térmica Automática (Selección Automática por Probador Térmico)
9. Prueba automática (probador multifuncional)
